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力扣 字符串 常用函数总结 cnt [ ch-‘a‘ ]++ 位运算 string转int ,char 转int_cnt[ch - 'a']++;-CSDN博客

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力扣 字符串 常用函数总结 cnt [ ch-‘a‘ ]++ 位运算 string转int ,char 转int_cnt[ch - 'a']++;-CSDN博客

力扣 字符串 常用函数总结 cnt [ ch-‘a‘ ]++ 位运算 string转int ,char 转int

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已于 2022-07-22 22:09:18 修改

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力扣

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leetcode

c++

算法

于 2022-06-19 21:16:52 首次发布

版权声明:本文为博主原创文章,遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议,转载请附上原文出处链接和本声明。

本文链接:https://blog.csdn.net/u011514176/article/details/124676111

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力扣

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string s;

char ch=s[0];

vector s1;

1.验证字符串是否为空,求字符串长度

s.empty();

s.length();

s.size();

2.

isalnum(ch) //检测一个字符是否是字母或者十进制数字。

isalpha(ch) //仅仅检测一个字符是否是字母

isdigit(ch) //仅仅检测一个字符是否是十进制数字

tolower(ch)//把字母字符转换成小写,非字母字符不做出处理

islower(ch);//判断是否为小写字母

isupper(ch);//判断是否为大写字母

5.判断字符是否为空字符

isspace();//返回布尔型变量

6.交换字符串数组的元素

swap(s1[i],s1[n-i-1]);

7.翻转字符串

reverse(s.begin()+i,s.begin()+a);

8.插入和删除字符串中的元素

s1.insert(pos,s2);//在字符串s1的第pos个位置前 插入字符串s2

s1.insert(pos,s2,begin,end);//在字符串s1的第pos个位置后面 插入字符串s2的从begin开始到end的前一个字符结束的子串

s1.insert(pos,n,c)//在字符串s1的第pos个位置前 插入n个字符c

s.erase(pos)//删除字符串s从第pos个字符开始之后所有的字符(包括第pos个)

s.erase(pos,n)//删除字符串s从第pos个字符开始的n个字符

9.append 函数添加元素,非常的好用!!

str1.append(str2)//在字符串str1后添加字符串str2,用函数append实现。

str1.append("abcdefg")//可以使用字符串变量,也可以直接使用字符串。

str1.append("abcdefg").append("abcdefg").append("abcdefg")//字符串后,还可以用append函数,添加多个字符串。

str1.append(str2,2,2)//用append函数,添加字符串中的指定字符。第二个字符后面的连个字符 比如:good morning ---> goodrn

str1.append(6,"!")//使用append函数,还可以输入指定数量的字符。 添加六个感叹号

10.字符串的拼接

string ans;

for (int i = 0; i < 10; ++i) {

ans += char(i + '0');

}

11.查找函数

string str1="abefcdgcdfghcd";

int pos=str1.find("cd"); //pos = 4;

12.截取字符串函数,左闭右开

const string tmp = pattern.substr(0, 5);

if(s.find(s[i])==s.rfind(s[i]))return i; //find()正向查找元素,rfind()逆向查找元素,返回元素得下标

1. cnt [ ch-‘a’ ]++ 遍历找出字符串的每个字符的重复的个数!

string s = "abcccfg";

vector cnt(26, 0);

for (char ch : s) {

cnt[ch - 'a']++;

//cnt[ch - 'a']++;

}

for (int i = 0; i < cnt.size(); i++)

{

cout << cnt[i] ;

}

2. 字符串也可以加减乘除

将字符串s中每个字符的ASCII码的值求和,得到A1; 对字符串t同样的方法得到A2。两者的差值 A1- A2。即代表了被添加的字符。

string s = "abcde";

string t = "abcfde";

int as = 0, at = 0;

for (char ch : s) {

as += ch;

}

for (char ch : t) {

at += ch;

}

cout << char(102) <

cout << char(at-as) << endl;

3 位运算

位运算找出多出来的那个字符

任何数是和0的异或结果都是原来的数任何数和其自身做异或运算,结果都是0异或运算满足交换律和结合律

4.字符转整数,string转int ,char 转int

string temp = "2359"; //temp = "2359";

char x1 = temp[0] - '0'; // x1=2 将字符串的第一个字符转换成整数

cout << "char x1不加上1 " << x1 << endl; //这样直接打印没有????????????

cout << "char x1加上1 " << x1 + 1 << endl;//加上计算,就可以显示???????

int x2 = temp[0] - '0';

cout << "int x1不加上1 " << x2 << endl; //有

cout << "int x1加上1 " << x2 + 1 << endl;//有

int x3 = atoi(temp.c_str()); // x3=2359 atoi是转换char为int的函数,temp.c_str()功能见下面

cout << "atoi下的x3 " << x3 << endl;

cout << "测试 atoi 和 c_str()" << endl;

const char* s = "1234";

string str("5678");

int intS = atoi(s); //可以的,atoi将字符串换成数字

//int intStr = atoi(str); //此写法会报错,需先将string转成char*

int intStr = atoi(str.c_str()); //很明显,c_str()函数就是将string转换成const char * 类型的函数

cout << "char* 转int: " << intS << endl;

cout << "string 转int: " << intStr << endl;

5 char转int,int转char

char c = '0';

int i1 = c; // 48

int i2 = c - 0; // 48

int i3 = c - '0'; // 0

int i4 = c + '0'; // 96

int i = 5;

char c1 = i; // 越界

char c2 = i - 0; // 越界

char c3 = i - '0'; // 越界

char c4 = i + '0'; // 5

//大于9的数字怎么转换

int num =45;

auto x1= 45 % 10 + '0'; // x1 = 5

num /=10; // num=4;

auto x2= 45 % 10 + '0'; // x2 = 4

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力扣 字符串 常用函数总结 cnt [ ch-‘a‘ ]++ 位运算 string转int ,char 转int

string s; char ch=s[0]; 1.验证字符串是否为空 s.empty() 2. isalnum(ch) //检测一个字符是否是字母或者十进制数字。 isalpha(ch) //仅仅检测一个字符是否是字母 isdigit(ch) //仅仅检测一个字符是否是十进制数字 3. tolower(ch)//把字母字符转换成小写,非字母字符不做出处理 4. islower(ch);//判断是否为小写字母 isupper(ch);//判断是否为大写字母 5..

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剑指Offer – 面试题38. 字符串的排列(全排列,排序,回溯+剪枝)

12-23

1. 题目

输入一个字符串,打印出该字符串中字符的所有排列。

你可以以任意顺序返回这个字符串数组,但里面不能有重复元素。

示例:

输入:s = "abc"

输出:["abc","acb","bac","bca","cab","cba"]

限制:

1 <= s 的长度 <= 8

来源:力扣(LeetCode)

链接:https://leetcode-cn.com/problems/zi-fu-chuan-de-pai-lie-lcof

著作权归领扣网络所有。商业转载请联系官方授权,非商业转载请注明出处。

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FPGA EP2C8Q208_FT245BM_TFP401A_BCM5421S protel设计硬件硬件原理图+PCB+FPGA设计源码.zip

03-26

FPGA EP2C8Q208_FT245BM_TFP401A_BCM5421S protel设计硬件硬件原理图+PCB+FPGA设计源码,硬件4层板设计,大小为114x128mm,Protel 99se 设计的DDB后缀项目工程文件,包括完整无误的原理图和PCB印制板图,已经在项目中使用,可用Protel或 Altium Designer(AD)软件打开或修改,可作为你产品设计的参考。 核心器件如下:

Library Component Count : 52

Name Description

----------------------------------------------------------------------------------------------------

0006

24LC21LA/SN

4 HEADER

HEADER 4

5208

8 HEADER

HEADER 8

93C46

AOZ1010AI

AT24C01A/02

AT45DB041B-S U?

BCM5421S GBIT-CHIP

CAP Capacitor

CAP-VD

CON2

CON3 Connector

CON4 Connector

CON6 Connector

DIANGAN

DIODE SCHOTTKY2 Schottky Diode

DIP_XTAL

DS18B20 Q?

DVI_PLUG

ELECTRO1

ELECTROS-VD

EP2C8Q208

EPCS4

FPGA_P_AS

FT245BM

HEADER 2

HEADER 8X2

HY57V653220

INDUCTOR1

INDUCTOR2

JTAG

LED

LED-VD

MAGNETIC

NPN NPN Transistor

RES1

RES2

RES3-VD

RES4

RES4-VD

RESPACK4B-VD

SLDS119A

SW-PB

SWPB-VD

USB_B

XTAL2-VD

XTAL4-VD

配套的cyclone2 FPGA Verilog源码文件(非工程文件)如下:

alt_pll.bsf

alt_pll.v

alt_ram_1024_24.v

alt_ram_512_8.bsf

alt_ram_512_8.v

clk_test.v

data_test.v

deal_int.v

dvi_ram.bsf

dvi_ram.v

dvi_receive.v

dvi_receive.v.bak

dvi_test.v

init_bcm5421.v

init_set.v

Led_Ctrl_SV1.v

mii_man_cnt.v

query_link_state.v

rec_pro_test.v

report_face_t.v

rx_t_2.v

sdram_addr_test.v

sdram_data_test.v

sdram_init.v

sdram_test_top.v

temp.bsf

temp.v

tx_t_1.v

usb_ctl.v

usb_interface.v

usb_phy_rx.v

usb_phy_tx.v

vd3033_t.v

python leetcode 字符串相乘实例详解

12-25

给定两个以字符串形式表示的非负整数 num1 和  num2 ,返回  num1 和  num2 的乘积,它们的乘积也表示为字符串形式。

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说明:

num1  和  num2  的长度小于110。

num1  和  num2  只包含数字  0-9 。

num1  和  num2  均不以零开头,除非是数字 0 本身。

不能使用任何标准库的大数类型(比如 BigInteger)或直接将输入转换为整数来处理。

程序员面试金典 – 面试题 08.05. 递归乘法(位运算)

12-21

1. 题目

递归乘法。 写一个递归函数,不使用 * 运算符, 实现两个正整数的相乘。

可以使用加号、减号、位移,但要吝啬一些。

示例1:

输入:A = 1, B = 10

输出:10

示例2:

输入:A = 3, B = 4

输出:12

提示:

保证乘法范围不会溢出

来源:力扣(LeetCode)

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2. 解题

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左移1位 == 乘以2

2.1 递归

class Solutio

Leetcode389找不同

没有笔记本用了

04-18

247

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方法1:转换为数组

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python代码的实现

class Solution:

def findTheDifference(self, s: str, t: str) -> str:

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3262

两个字符串 s1 和 s2 ,写一个函数来判断 s2 是否包含 s1 的排列。如果是,返回 true ;否则,返回 false 。

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class Solution {

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解决力扣字符串相加和相乘问题

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力扣 字符串相乘相加问题解决思路以及完整代码

lm75A温度数字转换器 FPGA读写实验Verilog逻辑源码Quartus工程文件+文档资料.zip

08-06

lm75A温度数字转换器 FPGA读写实验Verilog逻辑源码Quartus工程文件+文档资料,FPGA为CYCLONE4系列中的EP4CE6E22C8. 完整的工程文件,可以做为你的学习设计参考。

module LM75_SEG_LED (

//input

input sys_clk ,

input sys_rst_n ,

inout sda_port ,

//output

output wire seg_c1 ,

output wire seg_c2 ,

output wire seg_c3 ,

output wire seg_c4 ,

output reg seg_a ,

output reg seg_b ,

output reg seg_c ,

output reg seg_e ,

output reg seg_d ,

output reg seg_f ,

output reg seg_g ,

output reg seg_h ,

output reg clk_sclk

);

//parameter define

parameter WIDTH = 8;

parameter SIZE = 8;

//reg define

reg [WIDTH-1:0] counter ;

reg [9:0] counter_div ;

reg clk_50k ;

reg clk_200k ;

reg sda ;

reg enable ;

reg [WIDTH-1:0] data_out ;

reg [31:0] counter_init ;

reg [10:0] buff ;

reg [7:0] lm75_temp ;

reg [3:0] segled_counter ;

reg [25:0] count ;

reg [ 3:0] disp_data ;

reg [7:0] dat ;

reg disp_clk ;

reg [25:0] clk_cnt ;

reg [15:0] scan_cnt ;

reg [ 3:0] segled_bit_sel ;

reg [ 3:0] lm75_temp_dec_l ;

reg [ 3:0] lm75_temp_dec_h ;

reg segled_a ;

reg segled_b ;

reg

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214

leetcode257.二叉树的所有路径

表:Logs

+-------------+---------+

| Column Name | Type |

+-------------+---------+

| id | int |

| num | varchar |

+-------------+---------+

id 是这个表的主键。

 

编写一个 SQL 查询,查找所有至少连续出现三次的数字。

返回的结果表中的数据可以按 任意顺序 排列。

查询结果格式如下面的例子所示:

 

示例 1:

输入:

Logs 表:

+----+-----+

| Id | Num |

+----+-----+

| 1 | 1 |

| 2 | 1 |

| 3 | 1 |

| 4 | 2 |

| 5 | 1 |

| 6 | 2 |

| 7 | 2 |

+----+-----+

输出:

Result 表:

+-----------------+

| ConsecutiveNums |

+-----------------+

| 1 |

+-----------------+

解释:1 是唯一连续出现至少三次的数字。

来源:力扣(LeetCode)

链接:https://leetcode.cn/problems/consecutive-numbers

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07-22

可以使用如下的SQL查询来解决这个问题:

```sql

SELECT DISTINCT Num AS ConsecutiveNums

FROM Logs l1

WHERE 3 <= (

SELECT COUNT(*)

FROM Logs l2

WHERE l2.Num = l1.Num AND l2.Id >= l1.Id

)

```

该查询使用子查询来计算每个数字连续出现的次数,并过滤出至少连续出现三次的数字。最后使用DISTINCT关键字来去除重复的结果。

查询结果如下:

```

+-----------------+

| ConsecutiveNums |

+-----------------+

| 1 |

+-----------------+

```

注意:根据题目描述,返回结果表中的数据可以按任意顺序排列。因此,具体的结果排序可能会有所不同。

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好滴,谢谢

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github嗖SSRNET就有的

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Youngthree:

有没有后续代码讲解啊?

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碳纳米管 - 知乎

碳纳米管 - 知乎首页知乎知学堂发现等你来答​切换模式登录/注册碳纳米管碳纳米管(Carbon Nanotube,缩写为CNT)是在1991年1月由日本筑波NEC实验室的物理学家饭岛澄男使用高分辨透射电子显微镜从电弧法生产碳纤维的产物中发现的。它是一种管状的碳分子,管…查看全部内容关注话题​管理​分享​百科讨论精华视频等待回答详细内容概述碳纳米管(Carbon Nanotube,缩写为CNT)是在1991年1月由日本筑波NEC实验室的物理学家饭岛澄男使用高分辨透射电子显微镜从电弧法生产碳纤维的产物中发现的。它是一种管状的碳分子,管上每个碳原子采取sp2杂化,相互之间以碳-碳σ键结合起来,形成由六边形组成的蜂窝状结构作为碳纳米管的骨架。每个碳原子上未参与杂化的一对p电子相互之间形成跨越整个碳纳米管的共轭π电子云。按照管子的层数不同,分为单壁碳纳米管和多壁碳纳米管。管子的半径方向非常细,只有纳米尺度,几万根碳纳米管并起来也只有一根头发丝宽,碳纳米管的名称也因此而来。而在轴向则可长达数十到数百微米[1]。碳纳米管是一种具有特殊结构的一维量子材料。性质碳纳米管的分子结构决定了它具有一些独特的性质。由于巨大的长径比(径向尺寸在纳米量级,轴向尺寸在微米量级),碳纳米管表现为典型的一维量子材料,它的电子波函数在管的圆周方向具有周期性,在轴向则具有平移不变性,大大纯化了理论工作,并做出了一些预言。理论预言,碳纳米管具有超常的强度、热导率、磁阻,且性质会随结构的变化而变化,可由绝缘体转变为半导体、由半导体变为金属;具有金属导电性的碳纳米管通过的磁通量是量子化的,表现出阿哈诺夫-波姆效应(A-B效应)。由于碳纳米管中碳原子采取sp2杂化,相比sp3杂化,sp2杂化杂化中s轨道成分比较大,使碳纳米管具有高模量、高强度。此外,碳纳米管的熔点预计高达3652~3697℃。碳纳米管上碳原子的P电子形成大范围的离域π键,由于共轭效应显著,碳纳米管具有一些特殊的电学性质。合成碳纳米管的合成主要有两种方法;一种是直流电弧放电蒸发合成法(DC Arc di schargeEvaporation Mothed,下面简称DAEM),另一种是催化合成法(Catalytic Mothed,下面简称CM)。直流电弧放电蒸发合成法(DAEM)DAEM制取碳纳米管是在一个百墨棒电弧反应器内进行的,这个反应器与Haufler—Ktolo的合成装置很相似。在反应器的圆柱形容器中,将两根石墨棒分别放于阳极和阴极充当电极,二者相距1~2cm。向容器中充入惰性气体He或Ar,压力为53kPa。然后通入电流值很大的直流电,使弧光温度达到3000℃以上,这时在阴极开始有烟灰产生。反应结束后,借助超声清洁器,将烟灰用甲苯或乙醇分散,得到悬浮的样品。催化合成法(CM)cM是指在催化剂的作用下,以热解法从有机物合成碳纳米管。这与气相生长炭纤维很相似。催化剂分为两类,第一类是过渡金属,例如Fe,Co,Ni和Cut第二类是锎系金属,主要有Gd,Nd,La和Y。M.Endo等人以铁为催化剂,苯为前躯体,用制取气相生长炭纤维的装置合成出碳纳米管。不过,实验要求苯的分压远小于制取气相生长炭纤维时的分压,而且当反应温度和苯的分压低于气相生长炭纤维的最佳条件时,碳纳米管产量增加,尤其是1000~1150℃时。反应完毕后,将产物在通氩气的炭电阻炉内进行10-15min热处理,温度范围2500—3000℃[2]。形成机理关于碳纳米管的形成机理,迄今尚无定论。Endo 提出两种生长模型以解释碳纳米管的生成。第一种是螺旋生长模型(the Spnal Gro—wth Mode1),即石墨片绕着一个共同轴以一定螺旋角等进旋转卷成一组圆管简杖管。这种模型可得到多层碳纳米管,更适宙解Li.M。第二种是基底粒子生长模型(tire cnel fGrowth Ov er Impurity Sabstl'ate Part el—es),这里的基底粒子指的是催化剂粒子,即以催化剂粒子为基体,石墨片得以生成并弯曲生长。得到的产物为单层碳纳米管,其形状随粒子形状变化,这种模型适合于CM。Ugarte认为,连续石墨片发生弯曲生长是为了减少悬链数,以降低体系能量。这使人们联想起的生长机理RSet'ton从连续石墨片具有几乎恒定的螺旋性的事实提出这样的机理[3]。潜在用途螺旋角IiJima指碳纳米营的螺旋角正负均可,这表明碳纳粉管是手性生长的,因而具有光学活性。另外,螺旋角也决定着碳纳米管的生长速。导电性N.Namada和R.Saito等人认为,碳纳米管的导电性依赖于其半径尺寸,改变半径可以获得金属性和半导体性。例如,增大营径,可降低半导体性纳米管的能量禁带宽度,得到2D型的半导体。当2n1+n2=3q(n1、n2为与轴向、径向相关系数,q为整数)时,碳纳米管表现为金属性。由此可望得到一种内部为金属性而外部为半导体性的传导材料,锆台碳纳米管的光学活性,设讣一种具有光学活性的金属——半导体仪器。在此以前,这种设计都必须通过金属掺杂来完成。另外,利用碳纳米管的尺寸和导电性,可制成纳米探针。例如,作成纳米电板,在纳米级范围内探索细胞化学[4]。机械性能和热传苷性s.Ruoff等人发现,碳纳米管沿轴向的弹性模量大约为800GPa以上,拉伸强度为20GPa,这表明机械强度很高。同时,碳纳米管轴向的导热性很好,而径向的导热性却低于石墨c轴的导电性。这两个特点使得碳纳米管非常适合于应用在高强复合材料中。例如,利用碳纳米管的高强度作加固材料。由于碳纳米管的端部多为拱形结构,而这种结构极为稳定,抗氧化能力极强,因此碳纳米管加固的材料用于恶劣的电化学环境和高温环境下尤为理想。毛细作用M.Pederson发现,碳纳米管毛细现象很强烈,这表明碳纳米管具有很强的吸附作用,可用来傲吸附材料、储氢材料或催化剂载体。M.Planelx等人以碳纳米管傲载体制成非均相有机钶催化剂,该催化剂使乙醛的氢化反应收率达到90,而使用活性炭作载体时,收率仅为20~40。度或稳定性以及几何形状[5]。与生长动力学结构决定性能,作为典型一维碳材料的单壁碳纳米管具有非常独特的光电性质,因而,单壁碳纳米管的结构控制制备一直是人们关注的热点问题,也成为该领域最具挑战的课题之一。目前,化学气相沉积方法是可控制备碳纳米管的主要方法,在化学气相沉积反应过程中,碳源在催化剂表面裂解成核,进而生长出结构不同、长度各异的单壁碳纳米管。为深入探索碳纳米管的生长规律,并进一步提出更加合理的可控制备策略,科学工作者们长期致力于构建碳纳米管成核热力学和生长动力学的理论框架。在碳纳米管成核热力学方面,特定结构的固体催化剂已经被研究者们证实能够为碳纳米管的成核提供更加稳定的模板,并且影响其成核类型。例如,2014年,北京大学李彦等人利用高熔点的W6Co7首次实现了(12,6)管的高纯度制备。2017年,北京大学张锦等人则采用固体碳化钼和碳化钨催化剂分别实现了高密度(12,6)和(8,4)碳纳米管水平阵列的控制制备,并揭示了固体催化剂晶面与碳纳米管间的对称性匹配规律。2019年,该研究组通过对碳纳米管成核热力学的进一步分析,实现了三重对称的(n,n–1)型碳纳米管的富集生长。同时在低温生长条件下,通过控制生长条件,实现了六重(或三重)对称的(12,6)或三重对称的=(10,9)等碳纳米管的富集生长。尽管研究者们在碳纳米管的成核热力学方面取得了巨大进步,却往往忽视了生长动力学在其生长过程中的重要作用。目前碳纳米管的生长动力学研究主要集中在理论层面,而实验上的进展则远远滞后。早在2009年,丁峰等人率先提出了螺旋位错理论。他们指出,碳纳米管的生长速率与碳纳米管开口端的活性位点数成正比,即单根碳纳米管的生长速率或长度将仅仅取决于碳纳米管的几何结构或手性。这一结论与许多实验结果相吻合。然而,一方面,最新的一些实验结果表明,螺旋位错理论并不是普适的,即测定的单壁碳纳米管的长度和手性角并没有明显关联。另一方面,容易被忽视的是热力学稳定成核通常意味着较慢的生长速率,但是已经报道实现的(12,6)和(8,4)碳纳米管的富集生长都是在碳源浓度较大(往往意味着生长速率较快)的环境下实现的,这与理想的热力学稳定成核机理有一些相悖。为解释这一实验现象,青岛科技大学何茂帅研究组与北京大学张锦研究组以及韩国蔚山国家科学技术研究院丁峰研究组一起,提出了一个更加完善的碳纳米管生长动力学模型。在新的模型中,他们以催化剂表面碳原子浓度为研究对象,重点讨论了碳浓度随反应体系中碳的供给、刻蚀剂浓度以及碳纳米管开口端的活性位点数的关系,阐明了能够把催化剂表面的碳原子带出反应体系的刻蚀剂浓度对碳纳米管生长速率的影响。当体系中刻蚀剂的浓度很高时,催化剂表面吸附的碳原子大多被刻蚀剂带出反应体系。在此反应区间内,碳纳米管的生长速率正比于其开口端的活性位点数,即螺旋位错理论是成立的。同时,利用氧化镁负载的钴作为催化剂,他们从实验上实现了大手性角单壁碳纳米管的选择性生长。另一方面,当反应体系中没有刻蚀剂或刻蚀剂的浓度很低时,催化剂表面吸附的碳原子主要被碳纳米管的生长所消耗。在此反应条件下,碳纳米管的生长速率不受其开口端的活性位点数的影响,而仅仅取决于催化剂的裸露表面积和碳纳米管直径的比值。利用环境透射电镜,研究者跟踪了多根单壁碳纳米管的生长并计算了碳纳米管的生长速率,其实验结果与理论模型非常吻合。基于这一新的生长机制,研究者进一步提出了控制碳纳米管生长的新途径—即在没有刻蚀性气体的条件下,通过增加碳源的供给能够选择性地使活性位点数目少的碳纳米管的催化剂失活,进而终止这些碳纳米管的生长,最终得到活性位点数最多的碳纳米管的高选择性生长。他们的实验结果也表明,通过提高碳源的供给量,在固态钴催化剂表面可以实现纯度高达90%的(2n,n)碳纳米管的生长。应用材料学在碳纳米管的内部可以填充金属、氧化物等物质,这样碳纳米管可以作为模具,用金属等物质灌满碳纳米管,再把碳层腐蚀掉,就可以制备出最细的纳米尺度的导线,或者全新的一维材料,在未来的分子电子学器件或纳米电子学器件中得到应用。生物学碳纳米管还给物理学家提供了研究毛细现象机理最细的毛细管,给化学家提供了进行纳米化学反应最细的试管。电脑根据《自然》(Nature)2013年9月25日报导,斯坦福大学开发出全球首台完全以碳纳米管(carbon nanotubes)所组成的电脑,并已经成功运转,这台电脑叫作“Cedric”,目前还非常的简陋,只具备基本功能,但却可能发展成比现今任何一台硅晶电脑都快且更有效率的电脑。触控萤幕碳纳米管可以制成透明导电的薄膜,用以代替ITO(氧化铟锡)作为触控萤幕的材料。研究方向纯化技术迄今为止,还未找副将碳纳米管纯化的有效方法。由于在研究碳纳米管的性质,如导电性、磁性、机械性能和光学特性等,都需要纯净的样品。同时也由于其极诱惑力的应用前景和商业效益,这些因素促使碳纳米管的纯化成为日前该领域最为迫切的研究课题。形成机理关于碳纳米管的形成机理,仍未能得到令人信服的解释。从已有的文献报道可得到这样的暗示。烟灰富勒烯和碳纳米管的生长是一个互相竞争的机制,反应条件变化,三者的比例也发生变化,这在DAEM中尤为明显,同样在CM中,炭纤维碳纳米管、热解碳和Ugarte提出的纳米粒子(Nanoparticle)的生成也是一个竞争的机理。因此,对形成机理的研究有助于我们优化碳纳米管柏台成条件。其它如果R.Setton暗示的机理和Ijjima提出的生长机理模型确实存在,而碳纳米管也确实是从里向外生长的,那么了解最内层管的结构特征对于认识碳纳米管的结构尤其重要。碳纳米管的一些另人感兴趣的性质都是由其结构所决定的,因此应进一步深入对其结构进行研究。特别需要指出的是单层碳纳米管,由于它具有非常大的抗拉强度(弹性模量高达1.6TPa)和独特的一维导电性,以及它在结构上与富勒烯的密切联系,引起众多科学工作者的兴趣并探入对其结构、性质和潜在用途的研究和探索。例如,用这种管组成的25m管束承受1kg压力时,变形率仅为3,而相同直径的铁丝在3变形条件下仪支撑25mg的重量。另外,由于碳纳米管独特的导电性和纳米尺寸,使得它将在纳米技术领域发挥重要的作用,尤其在生命科学中纳米授术被称为人类改变来来的十大技术之一[6]。百科摘录2化学专业保研手册-第十二章:化学前沿(碳纳米管)下的内容摘录知乎用户​厦门大学 化学硕士碳纳米管(carbon nanotube,CNT)又称巴基管(Bucky Tube),属富勒碳系,是由碳六元环构成的类石墨平面卷曲而成的纳米级中空管,其中每个碳原子通过sp2杂化与周围3个碳原子发生完全键合,形成六角形网格结构。此外,还有一些五边形碳环和七边形碳环对存在于碳纳米管的弯曲部位。因此碳纳米管中的碳原子以sp2杂化为主,但碳纳米管中六角形网格结构会产生一定的弯曲,形成空间拓扑结构,其中可形成一定的sp3杂化键,所以它是以sp2杂化为主,也含有一定的sp3杂化。直径较小的碳纳米管曲率较大,sp3杂化的比例也大,反之,sp3杂化的比例较小,碳纳米管的形变也会改变sp2和sp3杂化的比例。碳管的直径一般在1纳米到30纳米之间,而长度可达微米级。知乎小知 摘录于 2020-04-24碳纳米管?下的回答内容摘录华企新材多一点真诚,少一点虚伪碳纳米管,又名巴基管,是一种具有特殊结构(径向尺寸为纳米量级,轴向尺寸为微米量级,管子两端基本上都封口)的一维量子材料。碳纳米管主要由呈六边形排列的碳原子构成数层到数十层的同轴圆管。层与层之间保持固定的距离,约0.34nm,直径一般为2~20 nm。并且根据碳六边形沿轴向的不同取向可以将其分成锯齿形、扶手椅型和螺旋型三种。 碳纳米管作为一维纳米材料,重量轻,六边形结构连接完美,具有许多异常的力学、电学和化学性能。近些年随着碳纳米管及纳米材料研究的深入其广阔的应用前景也不断地展现出来。现在主要吨位级的应用在锂电池浆料、橡胶改性方面,塑料改性方面随着工业化生产带来的成本一步步降低,相信18年就会有所突破的。知乎小知 摘录于 2020-04-24浏览量408 万讨论量2446  帮助中心知乎隐私保护指引申请开通机构号联系我们 举报中心涉未成年举报网络谣言举报涉企侵权举报更多 关于知乎下载知乎知乎招聘知乎指南知乎协议更多京 ICP 证 110745 号 · 京 ICP 备 13052560 号 - 1 · 京公网安备 11010802020088 号 · 京网文[2022]2674-081 号 · 药品医疗器械网络信息服务备案(京)网药械信息备字(2022)第00334号 · 广播电视节目制作经营许可证:(京)字第06591号 · 服务热线:400-919-0001 · Investor Relations · © 2024 知乎 北京智者天下科技有限公司版权所有 · 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cnt在C语言中什么意思? - 知乎

cnt在C语言中什么意思? - 知乎首页知乎知学堂发现等你来答​切换模式登录/注册C(编程语言)C 编程C 语言入门C语言函数C语言入门经典(书籍)cnt在C语言中什么意思?关注者5被浏览18,311关注问题​写回答​邀请回答​好问题​添加评论​分享​3 个回答默认排序MelodiCly一般社员​ 关注源于英文单词count,当需要在程序中计数时为了语义清晰会使用该变量名,当然偷点懒用首字母c做变量名也没事,反正初学阶段程序都很短。目前部分高校c语言课程会混杂c++的内容甚至完全换成c++,由于c++标准库中已存在函数count(位于头文件algorithm),为了避免重名,一般使用缩写,缩写时去掉元音字母,于是得到cnt。编辑于 2020-11-22 17:20​赞同 2​​2 条评论​分享​收藏​喜欢收起​截码JM软件工程师​ 关注一般用作变量名,代表count的意思,数量发布于 2020-11-22 12:23​赞同​​添加评论​分享​收藏​喜欢收起​​

CNT是什么意思_CNT的翻译_音标_读音_用法_例句_爱词霸在线词典

什么意思_CNT的翻译_音标_读音_用法_例句_爱词霸在线词典首页翻译背单词写作校对词霸下载用户反馈专栏平台登录CNT是什么意思_CNT用英语怎么说_CNT的翻译_CNT翻译成_CNT的中文意思_CNT怎么读,CNT的读音,CNT的用法,CNT的例句翻译人工翻译试试人工翻译翻译全文CNT释义用来定义帮助文件中“Contents”的结构大小写变形:cnt点击 人工翻译,了解更多 人工释义实用场景例句全部The electrocatalysis, separation and recognition mechanism of CNT modified electrode were investigated.四 、 CNT修饰电极的电催化、电分离及识别机理.互联网Screen printing technology has been improved to fabricate large area, carbon nanotube ( CNT ) field emission cathode.碳纳米管 ( CNT ) 是理想的场发射阴极材料.互联网It's believed that temperature growth of large area CNT is feasible with further optimizing process.可以预见,经过进一步的优化工艺,在大面积衬底上低温生长CNT是 可行的.互联网Carbon nanotube ( CNT ) is perfect material as field emission cathode.碳纳米管 ( NT ) 为理想的场发射阴极材料.互联网CNT: What impact do you think your hospital will have?问: 你认为你建立医院会有什么影响?互联网The Co - P - carbon nanotube ( CNT ) composite coating was prepared by selecting appropriate electroplating conditions.采用电沉积法制备碳 纳米管 钴磷基复合镀层.互联网CNT: Why do you do all this good work?问: 为什么要做这些好事?互联网CNT: So for you, travel is a form of escape?问: 那么对你来说旅行是一种逃避?互联网The fabrication of heterojunctions structure of CNT arrays is discussed.碳管阵列的异接合结构制备亦在文中探讨.互联网Field emitting mechanism of CNT is also studied.并对碳纳米管场发射机理作了一些探讨.互联网The relationships among microstructure, emission properties and electrical characteristics of screen - printed CNT cathode were studied.研究了不同碳纳米管含量的冷阴极的场发射特性与其微结构和电学特性的关系.互联网CNT: What were some of the most moving moments in your humanitarian work?问: 在你的慈善工作中,哪个时刻最让你感动?互联网And the field emission characteristic of the CNT trunk was test by a simple diode structure.而所成长的奈米碳管以简单的二极量测来测试其场发射特性.互联网The SEM micrographs of CNT deposits formed on the top surface of cathode show quasi - hexagonal structure.阴极石墨沈积表面的顶面SEM,可见类六边形的结构.互联网Carbon nanotube ( CNT ) cathodes with different CNT contents were prepared by screen - printing method.采用丝网印刷法制备了不同碳纳米管含量的 冷阴极.互联网收起实用场景例句行业词典计算机= CouNT,计数,计算   释义实用场景例句行

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有没有大佬知道为什么要cnt[x]++啊? - 知乎

有没有大佬知道为什么要cnt[x]++啊? - 知乎首页知乎知学堂发现等你来答​切换模式登录/注册编程编程学习C++ 编程有没有大佬知道为什么要cnt[x]++啊?[图片] [图片] [图片] [图片]显示全部 ​关注者3被浏览463关注问题​写回答​邀请回答​好问题​添加评论​分享​1 个回答默认排序深秋金色​信息技术行业 CTO​ 关注cnt是count的缩写,用作计数器。例子:假设cnt=8,则printf("cnt=%d\n",cnt)的意思就是printf("cnt=8\n"),\n的意思是换行,该语句的执行结果是在屏幕上输出cnt=8,然后换行;C语言能以简易的方式编译、处理低级存储器。C语言是仅产生少量的机器语言以及不需要任何运行环境支持便能运行的高效率程序设计语言。尽管C语言提供了许多低级处理的功能,但仍然保持着跨平台的特性,以一个标准规格写出的C语言程序可在包括一些类似嵌入式处理器以及超级计算机等作业平台的许多计算机平台上进行编译。 ——————是否可以?发布于 2023-10-21 19:51​赞同 1​​添加评论​分享​收藏​喜欢收起​​

CNT是什么意思? - CNT的全称 | 在线英文缩略词查询

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首页 › 3 个字母 › CNT

CNT 是什么意思?

你在寻找CNT的含义吗?在下图中,您可以看到CNT的主要定义。 如果需要,您还可以下载要打印的图像文件,或者您可以通过Facebook,Twitter,Pinterest,Google等与您的朋友分享。要查看CNT的所有含义,请向下滚动。 完整的定义列表按字母顺序显示在下表中。

CNT的主要含义

下图显示了CNT最常用的含义。 您可以将图像文件下载为PNG格式以供离线使用,或通过电子邮件发送给您的朋友。如果您是非商业网站的网站管理员,请随时在您的网站上发布CNT定义的图像。

CNT的所有定义

如上所述,您将在下表中看到CNT的所有含义。 请注意,所有定义都按字母顺序列出。您可以单击右侧的链接以查看每个定义的详细信息,包括英语和您当地语言的定义。

首字母缩写词定义CNT%CNTCercle 定于 TranchaisCNTCercle 每年定期举办杜 TouquetCNTConfederación)CNTConfà © dà © 配给国立杜产难的妇人CNT中央全国总工会CNT中央国立德明年CNT中央网络测试平台CNT中心国家德 TirCNT中心国家的 du Thà © °、 槟知CNT中心新剧院CNT会众 Ner TamidCNT加拿大国家电信CNT加拿大核技术CNT加拿大的核威胁CNT协调的网络测试CNT危机谈判小组CNT合同CNT国家CNT委员会 des 工作杜产难的妇人CNT康奈尔大学笔记CNT新市镇的发展委员会CNT短号CNT碳纳米管CNT社区技术中心CNT纳米传感技术研究中心CNT经过认证的护士技术员CNT自然教练认证CNT计数CNT计数器贩毒恐怖主义CNT计算机工程技术CNT计算机网络技术CNT认证海军斜纹

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CNV ›

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碳纳米管(CNTs)常见的表征方法 - 知乎

碳纳米管(CNTs)常见的表征方法 - 知乎切换模式写文章登录/注册碳纳米管(CNTs)常见的表征方法e测试服务平台e测试,科研资源共享及专业检测与分析平台,专业,高效,让科研更简单。碳纳米管概述碳纳米管(Carbonnanotube,CNTs)是一种典型的一维纳米材料,是材料科学领域多年的研究热点之一。碳纳米管是晶形碳的一种同位素异形体,从结构上为蜂巢状的一维纳米空心管,其中 C-C 原子以 sp2杂化构成共价键。根据碳纳米管的管壁数,可分为单壁碳纳米管(SWCNT)和多壁碳纳米管(MWCNT),而根据碳纳米管的结构特征又可分为扶手椅形、锯齿形和螺旋型三种,其中螺旋型碳纳米管具有手性,而锯齿形和扶手椅型碳纳米管没有手性。图1. 单壁碳纳米管和多壁碳纳米管的结构示意图碳纳米管重量轻,六边形结构连接完美,具有许多优异的力学性能、导电性能和化学性能。具体而言,碳纳米管的电导率高达108 S•m-1,是铜金属的一万倍;常温下热导率通常在3000 W•(m•K)-1以上,远超其它金属材料;碳纳米管密度仅为钢的1/6,但抗拉强度却是钢的100倍,最高可达200 Gpa;弹性模量达1.34 Tpa,与金刚石相当,是钢的5倍。除此之外,碳纳米管还具有弹性高、比表面积大、稳定性好和抗疲劳性能等。近些年随着对碳纳米管的深入研究,其广阔的应用前景也不断地展现出来,在储能器件电极材料、复合材料、吸附分离、催化等诸多领域都有广泛应用。性能如此优异的材料,该如何表征呢?今天给大家介绍几种对碳纳米管来说常见的表征方法。碳纳米管常见的表征方法1、扫描电子显微镜(SEM):通过SEM研究了氟化温度对FCNTA-TF形貌和结构的影响。在相对较低的氟化温度(350°C和400°C)下制备的样品更好地保持了阵列结构,并且碳纳米管的排列相对致密。然而,在较高的氟化温度(500°C和525°C)下,样品的结构发生了一些变化,这主要反映在碳纳米管的直径和长度的减小。这是由于氟气体的反应性随着氟化温度的升高而增加,碳层与母管分离,导致碳管直径减小。此外,在氟化过程中,纳米管上的一些氟原子沿纳米管的径向以1,2-键的形式生长,一些C-C键被破坏形成C-F键,这可能会缩短纳米管的长度。图2. FCNTA-350(a,e)、FCNTA-400(b,f)、FCNTA-500(c,g)和FCNTA-525(d,h)的SEM图像2、透射电子显微镜(TEM):空心和多壁碳纳米管(MWCNT)的特征可通过TEM成像得到确认。TEM图像显示了碳纳米管的竹子状结构。使用ImajeJ软件确定CNT样品的直径和长度:CNT600的直径10–42 nm和长度208–512 nm;CNT500直径21–60 nm和长度0.302–1.6 μm;CNT400直径32–66 nm和长度0.285–1.032 μm;CNT300直径21–57 nm和长度0.600–3 μm。图3. PJ木材生物炭CNT(a)、包裹铁纳米粒子CNT600(b)和纳米生物炭的TEM图像3、原子力显微镜(AFM):AFM图像显示,Ni-BDC具有部分堆叠的片状结构,这与SEM表征结果一致。然而,Ni0.85Se-2呈现多孔结构,这也与SEM表征的结果一致。Ni0.85Se/RGO/CNTs的表面相对平坦,但出现小颗粒,可能是Ni0.85Se-2纳米球。图4. Ni-BDC(a,b),Ni0.85Se-2(c,d)和Ni0.85Se/RGO/CNTs(e,f)的AFM图像4、拉曼光谱(Raman):碳纳米管的拉曼光谱主要表现为1350 cm-1及1590 cm-1处。其中1350 cm-1附近的D带峰,代表了sp3杂化的碳原子的引入或者sp2杂化网状结构的缺陷,其强度对应碳纳米管的缺陷程度;1590 cm-1附近的G带峰,代表了由于sp2杂化的碳原子导致的E2g振动模式的规整石墨烯结构,其强度对应碳纳米管的完整程度;科研人员常用IG/ID(或者ID/IG)来表征碳纳米管侧壁的缺陷程度。图5. c-MWCNTs、f-MWCNTs和p-MWCNTs的拉曼光谱5、差式扫描量热法(DSC):由第二次升温曲线能够看出,S-HCNTs的加入几乎未影响复合材料的熔融温度,熔融峰的温度随着S-HCNTs含量的增加而降低,但降低幅度很小,最终的熔融峰向较低的温度移动,造成这一结果的原因可能是由于碳纳米管的晶体成核效应导致的结晶度明显增加,并且随着S-HCNTs添加量的增加,晶体生长受到轻微的抑制。从降温曲线可以看出,加入改性后的S-HCNTs,结晶峰还是会向较高温度移动,在S-HCNTs的添加量为5wt%时Tc最高为296℃,S-HCNTs因其为SPEEK包裹在CNTs-HDA上,SPEEK与PEEK基体具有相似的结构,因此两者之间的交互作用减弱,进而导致链移动增快,被包裹的CNTs的活性成核作用增强。图6. PEEK和PEEK/S-HCNTs的DSC曲线:二次升温曲线(a)、降温曲线(b)6、红外光谱分析(FT-IR):红外光谱可以定性表征碳纳米管原粉及改性后样品其表面所带有的官能团种类。在RGO-CNTs-SiO2的光谱中,2920–2810 cm−1处可以看到两个明显的吸收峰,归因于CTAB中甲基和亚甲基的C-H键的拉伸振动。此外,955 cm−1处是CTAB NR4+结构中C–N键的特征吸收峰,表明RGO-CNTs表面CTAB的改性。在3410 cm−1、1110 cm−1和495 cm−1处可观察到SiO2的-O-H、Si-O-Si和O-Si-O拉伸振动吸收峰。图7. RGO、CNT和RGO-CNTs-SiO2的FT-IR光谱7、比表面积分析CMC-PANI4/CNT-10的BET比表面积为21 m2·g−1,高于CMC-PANI4膜的18.4 m2·g−1,可能是由于CNT在CMC-PANI4膜中的分散作用。在相对高压下(P/P0>0.8),CMC-PANI4和CMC-PANI4/CNT-10膜的N2吸附急剧增加,满足II型等温线的特征。此外,高压区的滞后环表明存在大量中孔和大孔。孔径分布图表明,主要孔结构位于约10~40 nm的范围内,CMC-PANI4/CNT-10的孔结构比CMC-PANI4更丰富,这与比表面积相对应。丰富的多孔结构不仅可以增加膜的比表面积,还可以进一步提供更多的电化学活性位点,有利于离子的扩散和吸附。图8. CMC-PANI4和CMC-PANI4/CNT-10的N2吸附脱附曲线(c)和孔径分布(d)8、X射线衍射(XRD):根据JCPDS第96–100–0055号文件,煅烧前样品明显由Mg(OH)2组成,在18˚、38˚、50˚、58˚、62˚和68˚处的峰对分别对应于结构的(001)、(011)、(012)、(110)、(111)、(200)平面。与JCPDS第96–101–1174号文件的相似性,煅烧后样品的特征峰出现在36˚、42˚和62˚处,分别对应于(111)、(200)和(220)平面。说明在碳纳米管结构上成功合成了镁基相。图9. CNT/MgO煅烧前(红色)和煅烧后(黑色)的XRD图谱9、x射线光电子能谱(XPS):XPS显示了HSHMWCNT和SHMWCNT的O1s、N1s、C1s和Si2p曲线。如图d和e所示,C1s曲线可分为285 eV时的C-H和C-C峰,286.2 eV为C-O峰,284.6 eV是C-Si峰,285.4 eV则是C-N峰。如图f和g所示,N1s曲线可分为399 eV的N-H峰和400.5 eV的N-C峰,这表明KH-550中存在氨基,这表明HSHMWCNT和SHMWCNT可以在环氧树脂基体中稳定结合。结果表明硅烷化是成功的。图10. HSHMWCNT(b)和SHMWCNT(c)的XPS光谱图;HSHMWCNT(d)和SHMWCNT(e)的C1s光谱图; HSHMWCNT(f)和SHMWCNT(g)的N1s光谱图参考文献[1]Hou Jia, Yang Xinxia, Fu Xingguang, Zou Dawei, Ma Jun, Peng Yi, Liu Yifan, Jian Xian. Highly oriented fluorinated carbon nanotube arrays for high specific capacity lithium primary battery[J]. Journal of Alloys and Compounds,2022,923.[2]Baghel Paramjeet, Kaushal Priyanka. Rapid synthesis of carbon nanotubes from Prosopis Juliflora biochar using microwave irradiation[J]. Materials Science & Engineering B,2022,286.[3]Hebing Pei, Guigui Liu, Ruibin Guo, Nijuan Liu, Zunli Mo. A novel efficient dual-functional electrocatalyst for overall water splitting based on Ni0.85Se/RGO/CNTs nanocomposite synthesized via different nickel precursors[J]. International Journal of Hydrogen Energy, 2022,130.[4]张培. 碳纳米管的分散性研究及其与聚乙烯醇复合纤维的制备[D].苏州大学,2015.[5]杨洁. 聚醚醚酮/碳纳米管复合材料:合成及性能研究[D].东华大学,2022.DOI:10.27012/d.cnki.gdhuu.2022.000817.[6]Wang Yanan, Suo Junying, Wang Haoyu, Wang Dongye, Wei Li, Zhu Hong. 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Diamond & Related Materials,2022,129.发布于 2022-09-28 15:47碳纳米管硕博材料表征​赞同​​添加评论​分享​喜欢​收藏​申请

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数���。CNT是指箱数的��,英文全称是CARGOTRACKINGNOTE,中文全称是货物进�清�。外贸用语,就是物�装�一个箱��往国外的地方,一般是用CTN作为箱数的��。比如出�用的箱�上会有CTN,表示共多少个箱�一般是�数CTNS,因为是多箱。其他外贸��:1�PCS是数���,表示件数。是pieces的缩写�,常��包装标签,表�包装内�有多少个体,比如:超市水�包装盒上常标2/PCS,��就是包�2个水�。2�KGS是����,表示�克。是kilograms的缩写。3�CBM是体积��,表示立方米。是cubicmeter的缩写。把货�海�到国外的�,是需�用到集装箱的,也称货柜。4�MT是����,表示公�。是metricton的缩写。英文缩写的优点:1�节�时间和空间使用缩写�以节�时间和空间,使用起�更为方便。2��高效�使用缩写�以�高工作或学习的效�,�以让你在更短的时间内完�更多的任务。3�方便沟通在书写或�头交�中,使用缩写�以使沟通更加顺畅。4���歧义在一些情况下,使用缩写�以��歧义,使表达更加�确。

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